技术编号:8367103
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 蓝宝石单晶是透射率和机械性能优异的材料,例如被广泛用作光学材料,被更多 地用作GaN生长用的外延基板。以往,使用铱、钨、钼等的坩锅,利用提拉法(也称为Czochralski法、CZ法等)、 EFG(Edge-defined. Film-fed Growth)法(导模法)、Kyropoulos 法(泡生法)由晶种进 行生长,从而获得该蓝宝石单晶。 其中,钼与铱、钨相比成本较低,因而被广泛用作坩锅的材料。 另一方面,由于蓝宝石的熔点超过2000°C,因而在将...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。