技术编号：8367598
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利说明 发明领域 本发明技术涉及制作金属氧化物半导体薄膜晶体管的方法，更具体涉及制作金属 氧化物半导体底栅顶接触（bottom-gatetop-contact)薄膜晶体管的方法，还涉及由此获 得的薄膜晶体管。 技术背景 因为金属氧化物半导体能够在低加工温度下实现极佳的电性质，所以已发现 可应用于薄膜电子设备例如大面积显示器和电路中。例如，已经证明了使用无定形 镓-铟-锌-氧化物（a-GIZO)作为活性层的薄膜晶体管（TFT)。对于在显示器中使用无定 形金...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。