技术编号:8367603
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及一种根据权利要求1的前序部分所述的光伏太阳能电池以及一种根 据权利要求6的前序部分所述的、用于制造光伏太阳能电池的方法。背景技术 光伏太阳能电池一般由半导体结构组成,所述半导体结构具有基极区域和发射极 区域,其中半导体结构一般基本上通过半导体基质,例如硅基质形成。光通常通过太阳能电 池的前侧入射至半导体结构中,从而在太阳能电池中吸收了入射光之后开始产生电子空穴 对。在基极和发射极区域之间形成了pn结,产生的载流子对在该pn结处分开。此外,太阳 ...
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