技术编号:8373996
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。自1839年Ε.Becquerel发现半导体的光电效应以来,近几十年利用半导体的光电效应使太阳光转换为电能和化学能,引起了研宄者的广泛关注。在众多半导体材料中,二氧化钛(T12)作为标准材料,在光化学方面得到广泛的研宄和应用。但是,T12的能带间隙为3.2eV,只能吸收太阳光中的紫外线部分,大大降低了太阳光的吸收率,导致太阳能的利用率和转化效率降低。因此,越来越多的半导体纳米材料被广泛研宄,其中三氧化铁(赤铁矿,C1-Fe2O3)具有合适的能带间隙(2.2...
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