技术编号:8376304
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。III族氮化物半导体材料,氮化镓(GaN)、氮化铝(A1N)、氮化铟(InN)以及其合金拥有优异的特性,比如宽禁带宽度,高电子迁移率,高物理和化学稳定性等。III族氮化物中,InN拥有最小的禁带宽度和电子质量,同时,InN具有最高的电子迁移率和电子饱和速率,优异的电子传输特性使得InN在高速电子器件应用有着巨大的潜力。作为下一代高速电子器件,InN基场效应管(FETs)展示出优异的性能。为了充分发挥InN的性能,制备高质量的InN晶体是关键。因为晶体质量严...
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