技术编号:8382059
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。这里公开的发明构思涉及半导体器件及其制造方法,更具体地,涉及磁。背景技术半导体器件由于它们的小尺寸、多功能性和/或低制造成本而被广泛地用于电子工业。半导体存储器器件可以存储逻辑数据。磁存储器器件可以提供高速度和/或非易失性的特性。因此,磁存储器器件很可能用作下一代存储器器件。通常,磁存储器器件可以包括磁隧道结(MTJ)图案。MTJ图案可以包括两个磁体以及在两者之间的绝缘层。MTJ的电阻值可以取决于两个磁体的磁化方向而改变。例如,如果两个磁体的磁化方向彼此反...
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