技术编号:8382310
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体器件日益缩小尺寸,诸如光刻的多种加工工艺适合于实现具有越来越小的器件的制造。然而,由于半导体工艺需要较小的工艺窗口,这些器件的制造已经接近并甚至超过了光刻设备的理论极限。随着半导体器件继续缩小,器件的元件之间的期望间距(即,节距)小于采用传统的光掩模和光刻设备所能够制造的节距。发明内容根据本发明的第一方面,提供一种形成半导体器件的方法,所述方法包括在半导体器件层的上方形成第一硬掩模层,所述第一硬掩模层包括含金属材料;在所述第一硬掩模层的上方形成第...
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