技术编号：8382338
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在晶体管的高K介质/后金属栅工程中，在完成高温退火进行离子激活之后，需要把伪栅如多晶硅栅去除，随后再填充金属栅电极，以形成高K介质/后金属栅结构。参考图1和图2，示出了现有技术一种。如图1所示，在衬底01中形成浅沟槽隔离区08，浅沟槽隔离区08的左侧形成有NMOS管的伪栅结构，右侧形成有PMOS管的伪栅结构，每一伪栅结构包括栅极介质层03、盖帽层06、伪栅02，伪栅结构侧壁还设置有侧墙04，在NMOS管的伪栅结构与PMOS管的伪栅结构之间露出的衬底01上形...
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