技术编号:8382489
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一般地,被形成在例如载体(具有在约几十微米的范围内的厚度)上的薄芯片或超薄芯片在微电子、微系统、生物医学以及其它领域中可以有各种应用。进一步地,可以利用各种工艺以在载体中提供电隔离区域。常用的工艺可以允许例如形成所谓的绝缘体上硅(SOI)结构或者悬空硅(SON)结构,其中薄硅区域可以与载体的其余部分电隔离。绝缘体上硅技术可以包括例如在载体内形成隐埋氧化物层并且由此在隐埋氧化物层之上提供电隔离的薄硅区域。通过应用所谓的硅中空白空间技术可以提供悬空硅结构。然而...
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