技术编号：8382542
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。诸如MUGFET晶体管(多栅极场效应晶体管)的晶体管包括源极区域、漏极区域、栅极和位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域。MUGFET通常在单个器件中包括一个以上的栅极。在一些MUGFET中，多个栅极受到单个栅电极的控制，其中，多个栅极表面作为单个栅极电力地起作用或者通过独立栅电极起作用。栅极控制沟道区域来操作晶体管。栅极围绕着沟道区域的一个或多个表面形成，其提高了栅极对沟道区域的控制。发明内容根据本发明的第一方面，本发明提供一种半导体结构，包括第一半导体器...
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