技术编号:8382576
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明设及薄膜太阳电池,特别是在W铜铜嫁砸为吸收层的薄膜太阳电 池领域中硫化簡薄膜作为关键一层作为缓冲层可W调节带隙梯度和作为n型半导体材料。背景技术 硫化簡(Cd巧是一种极具研究潜力且利用形式广阔的半导体材料,其制备方便, 性价比高并且适合大规模的生产。另外硫化簡还拥有多种利用形式。它可被制成如原子团 簇、纳米颗粒等零维材料,可W用来制备多种量子器件;可被制备成如纳米线、纳米椿、纳米 花、纳米带、纳米空屯、球等一维纳米材料,可应用于纳米线激光器、逻辑口...
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