技术编号:8386057
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及GaN类的场效应晶体管。背景技术历来,作为GaN类的场效应晶体管,如专利文献I (日本特开2012-23074号公报)所公开的那样,在形成于指状的源极电极和漏极电极上的绝缘膜设置通孔,形成通过该通孔与源极电极电连接的源极电极焊盘和与漏极电极电连接的漏极电极焊盘,作为焊盘元件(pad on element)构造实现紧凑化。但是,在上述焊盘元件构造的场效应晶体管中,源极-漏极间的寄生电容容易变大。当该源极-漏极间的寄生电容大时,存在导致开关时的瞬时振...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。