技术编号:8392827
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。单晶硅是具有完整的点阵结构的晶体,是一种良好的半导体材料,目前被广泛应用于半导体器件以及太阳能电池的制造。单晶硅使用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成的,在市场上有很广阔的前景。目前单晶硅的拉制装置为单晶炉,单晶炉内的加热装置只要是石墨坩埚和支撑它的锅托体,随着硅单晶直径的加大,单晶炉热场的尺寸变得越来越大,相应的,石墨坩埚的重量也大大增大。目前,使用的坩埚由于结构简单,存在着导热不均匀,加热缓慢的缺点,而锅托体的承受重量不够而导致损坏。发明内容本发明的目的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。