技术编号:8396910
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。近年来,随着半导体制造工艺的发展,对元件的集成度和性能要求越来越高,等离子体处理装置被广泛应用于各种半导体制造工艺,例如沉积工艺、刻蚀工艺等。以等离子刻蚀装置为例,通常反应腔室内底部设置有用于夹持待处理基片W的静电夹盘,静电夹盘内埋设电极。RF射频功率源施加在电极上,在腔室内部产生大的电场,该电场对腔室内的电子进行激发,使它们与工艺气体的气体分子碰撞产生等离子体,由此对待处理基片W表面进行等离子体处理。在基片W的周围,聚焦环以不接触的方式环绕设置,用于收敛...
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