技术编号：8396970
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电子封装三维集成，涉及一种三维封装芯片堆叠键合方法及结构，尤其涉及一种三维封装芯片堆叠用金属间化合物键合方法及结构。背景技术随着电子封装器件不断追求高频高速、多功能、高性能和小体积，要求电子封装技术能够实现更高的集成密度和更小的封装尺寸，封装结构逐渐由二维向三维方向发展。多层堆叠芯片键合是三维电子封装中的核心技术之一。采用娃通孔(Through Silicon Via,TSV)工艺与微凸点(μ-bump)工艺，可以实现芯片之间或芯片与基板之间的三...
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