技术编号:8396971
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在半导体三维集成技术中,为了满足器件的要求,需要将硅片减薄到一定的厚度来实现通过娃片的通道(TSV,Through Silicon Via)的上下互连。在带有TSV的薄晶圆制备过程中,首先要通过临时键合工艺将支撑片和完成TSV正面制备工艺的晶圆键合在一起;接着对晶圆的背面进行减薄和抛光,直至达到预定的厚度;然后完成晶圆的背面制备工艺,并去除支撑片将晶圆划成单颗芯片;最后将芯片间进行凸点键合。然而,由于带TSV芯片非常薄,且通孔中填充物局部应力较大,会导致在...
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