技术编号:8397012
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在逻辑电路、存储器电路、模拟电路等中混装有非易失性存储器的半导体集成电路(LS1Large Scale Integrated circuit大规模集成电路)正在普及。在逻辑电路等中,在MISFET之中也多使用在栅极绝缘膜具备氧化硅(S12)膜的MOSFET (Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor金属氧化物半导体场效应晶体管)。另一方面,在非易失性存储器中有利用在栅极绝缘膜具备电荷积蓄膜的FET的非...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。