技术编号:8397026
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及一种功率半导体器件及制备方法,更确切的说,本发明涉及一种至少包含双MOSFET的功率半导体器件及其制备方法。背景技术随着芯片封装尺寸缩小的趋势,器件具良好的热传导在半导体工艺和器件性能改善方面所起的作用越来越明显,如何使最终所获得的封装体具有最小尺寸,或者说使内部封装的晶片尺寸最大,这是对半导体行业的一个挑战。尤其是在一些功耗较大的封装类型上,如DC-DC转换器,通常将高端和低端MOSFET封装在同一封装体内,例如美国专利申请US12/188...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。