技术编号:8397083
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明本申请是发明名称为“”、国际申请日为2010年11月2日、申请号为201080049553.6 (国际申请号为PCT/JP2010/069528)的发明专利申请的分案申请。本发明涉及以高速操作并具有低损耗和软恢复特性的半导体器件(诸如二极管或绝缘栅双极晶体管(IGBT))、以及用于制造该半导体器件的方法。背景技术功率半导体器件用于具有高效率和低功耗的功率转换器件(诸如转换器和逆变器),并且对于控制旋转电机或伺服电机是必不可少的。功率控制器件要求低损...
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