双栅双极石墨烯场效应晶体管及其制作方法技术资料下载

技术编号:8397100

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自I960年MOSFET器件研制成功后,因其具有低功耗、可靠性高、尺寸易于缩小等优点,成为微处理器与半导体存储器等先进集成电路中不可或缺的核心部分,并迅速蓬勃发展。为了增加器件密度、响应速度以及芯片的功能,器件尺寸的按比例缩小是CMOS技术长期以来的发展趋势。即根据摩尔定律,芯片的集成度每18个月至2年提高一倍。随着微电子领域器件尺寸的不断减小,硅材料逐渐接近其加工的极限。为延长摩尔定律的寿命,国际半导体工业界纷纷提出超越娃技术(Beyond Silico...
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