技术编号:8397100
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。自I960年MOSFET器件研制成功后,因其具有低功耗、可靠性高、尺寸易于缩小等优点,成为微处理器与半导体存储器等先进集成电路中不可或缺的核心部分,并迅速蓬勃发展。为了增加器件密度、响应速度以及芯片的功能,器件尺寸的按比例缩小是CMOS技术长期以来的发展趋势。即根据摩尔定律,芯片的集成度每18个月至2年提高一倍。随着微电子领域器件尺寸的不断减小,硅材料逐渐接近其加工的极限。为延长摩尔定律的寿命,国际半导体工业界纷纷提出超越娃技术(Beyond Silico...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。