技术编号：8397133
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 为响应国务院颁发的关于光伏产业新建产能单晶电池效率大于20%，多晶电池效 率大于18%的若干指导意见，选择易于兼容现有规模生产线，且易于控制生产成本的方案， 才是最实际的技术路线。 背钝化高效晶体硅电池是目前最有潜力实现20%电池效率，其技术路线基于钝化 电池发射结且背面局部接触（PERL)电池结构，且电池成本可控的高效晶体硅电池技术路 线。但是高效背钝化电池工艺路线需要解决一下几个方面的问题 1)如何在不影响电池正面绒面的前提下，实现硅片背面的平整化抛...
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