技术编号:8399095
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及一种形成例如作为太阳能电池的光吸收层的Cu-In-Ga-Se四元系合 金膜时所使用的。 本申请主张基于2012年10月17日在日本申请的专利申请2012-229469号、及 2013年10月3日在日本申请的专利申请2013-208191号的优先权,将其内容援用于此。背景技术 以往,CuGa溅射靶是制造太阳能电池时所必须的材料,所述太阳能电池将利用所 谓硒(Se)化法所得到的Cu-In-Ga-Se四元系合金膜(CIGS膜)使用于光吸收层。另外,硒...
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