具有减小的栅极到源极与栅极到漏极重叠电容的金属栅极mos晶体管的制作方法技术资料下载

技术编号:8399392

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金属氧化物半导体(MOS)晶体管是众所周知的半导体装置,其可实施为η沟道(NMOS)装置或P沟道(PMOS)装置。MOS晶体管具有由沟道分离的间隔开的源极区及漏极区以及位于所述沟道上方且通过栅极电介质层与所述沟道绝缘的栅极。金属栅极MOS晶体管是一种利用金属栅极及高k栅极电介质层的类型的MOS晶体管。图1图解说明现有技术金属栅极MOS晶体管100。MOS晶体管100包含半导体本体110,半导体本体110具有单晶硅衬底区112及接触衬底区112的沟槽隔离结构...
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