技术编号：8405761
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前，第三代半导体材料如金刚石、GaN和SiC都是近年来国内外研宄的热点，但是相比于GaN和SiC而言，金刚石表现出更优越的性能。金刚石材料的禁带宽度大，临界击穿电场强度高，载流子的饱和漂移速率以及迀移率都非常大，介电常数非常小，特别适用于高频、高压、高功率电子器件。它集力学、电学、热学、声学、光学、耐蚀等优异性能于一身，是目前最有发展前途的半导体材料，在微电子、光电子、生物医学、机械、航空航天、核能等高新中具有极佳的应用前景。高质量的金刚石薄膜是从事金刚...
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