技术编号：8411377
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，属于光集成器件。背景技术基于一维半导体纳米材料的光学器件，由于其优良的荧光和光波导特性被广泛的研宄和应用，但是目前的制备技术中，对于单根的合成的一维半导体纳米材料只相当于单通道的光学微腔，不利于小型的微纳光集成器件的设计。金属纳米材料由于其独特的光学耦合特性和良好的光限域性被广泛的研宄。但是由于其固有的较大的欧姆损耗，基于金属纳米材料的光能量传播距离仅有几微米或十几微米，同样不利于光学集成。结合一维半导体纳米材料与金属纳米材料的复合纳米结构器件...
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