技术编号：8411624
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种通过显微镜法实现纳米级套刻精 度的方法。背景技术 目前，在半导体制造过程中，校对前层图案和当层图案的位置偏移通常通过对准 游标的方式来实现。但是，人眼识别精度低、误差大，不仅会因测试个体差异导致人为偏差， 而且还会因精度不够影响最终产品良率。 例如，在对准结果为向右偏移一格时，根据设计的前层游标和当层游标的偏移量， 来进行实际误差判断。在业界，现有技术仅可实现〇. 4 μ m的套刻偏差检测，已不能满足现 有半导体制造工艺...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。