技术编号：8413937
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。功率半导体器件，例如功率二极管、功率MOSFET (金属氧化物场效应晶体管)、功率IGBT (绝缘栅双极晶体管)或功率晶闸管被设计成经受高阻断电压。那些功率器件包括在P掺杂半导体区和η掺杂半导体区之间形成的ρη结。当ρη结被反向偏压时，器件阻断或被关断。在这种情况下，耗尽区(空间电荷区)在P掺杂区和η掺杂区中扩散。通常这些半导体区之一比半导体区中的其它区更轻掺杂，使得耗尽区主要在更轻掺杂区中延伸，更轻掺杂区主要支持施加在ρη结两端的电压。支持阻断电压的半导...
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