技术编号：8413952
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在现有技术中，鳍式场效晶体管(Fin Field Effect Transistor, FinFET)与传统的平面结构晶体管相比，不仅具有较好的栅控能力，还能够较好的抑制短沟道效应，使半导体器件的尺寸得到进一步减小。在现有的制作FinFET器件的过程中，通常先在半导体衬底上形成若干鳍部(fin)，并鳍部上形成栅极以及源区、漏区等器件，以形成相互独立的半导体器件。但是，现有技术FinFET器件的形成方法容易在所述鳍部上留有残留物，这些残留物的存在导致了层间互...
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