技术编号:8413955
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件结构及其制造方法,具体地,涉及一种MOS晶体管结构及其制造方法。技术背景在MOSFET结构中,栅极寄生电容是影响器件频率响应和开关速度的关键性因素,决定栅极RC延时以及RF频率响应。为了提高器件性能,我们需要尽可能地减小MOSFET的寄生电容,而随着器件尺寸日益减小,寄生电容的影响越来越显著,进一步减小器件的寄生电容能够显著改善器件性能。寄生电容是由器件的物理结构直接决定的,其大小与器件的尺寸直接相关。如图1所示,栅极寄生电容主要包...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。