技术编号:8413978
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,尤其涉及。背景技术目前采用VC (电压对比(voltage contrast,简称VC)的方法定位包含掩埋位线的存储产品的失效位置,但这种方法无法应用到双位线桥接的失效分析中,为了有效定位双位线桥接的失效位置,我们米用SEM(Scanning Electron Microsoft,扫描电子显微镜,简称SEM)的方法对整根位线进行地毯式扫描,这种方法在一定程度上满足了用户的需求,较之前技术有实质性的进步。但这种方法非常耗时,而且微弱的桥...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。