技术编号：8414100
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。对于闪存、一类非易失性存储设备的需求在移动设备和数字工业领域迅猛地增长，诸如在移动电话、MP3播放器、数码相机、通用串行总线(USB)等。目前被商业化的与NAND闪存设备基于晶体管阈值电压的变化来运行。在阈值电压上的变化由浮栅的电荷存储状态引发。该浮栅总体上由多晶硅形成并可以被充电或放电。然而，浮栅中的非均匀多晶硅增加了设备的阈值电压的可变性以及高至大约5到1V的运行电压需要大量的能量消耗。同样地，当按比例缩小时，蚀薄的绝缘层会导致浮栅的电荷泄漏到通道中。...
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