技术编号：8414117
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。对于图像传感器，需要减小像素尺寸以增大像素的数量。然而，因为需要在图像传感器的像素区域中配置诸如转移晶体管、选择晶体管、复位晶体管和放大晶体管等多个像素晶体管，所以如果减小像素尺寸，那么就减少了由光电转换部所占用面积的比例并且可能会使诸如灵敏度和饱和特性等特性劣化。鉴于上述，提出了用于确保光电转换部的面积并使特性劣化最小化的在其中形成有像素晶体管或配线层的基板上形成光电转换层的层叠结构(例如，参见日本专利申请特开N0.2001-144279和日本专利申请特...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。