技术编号：8414143
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。GaN具有较大的直接禁带宽度(3.4ev)、高热导率、高电子饱和漂移速度等特点，因此已经成为目前半导体的研究热点。特别地，氮化镓基高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)是一种基于氮化物异质结构的新型电子器件。该器件具有高频、大功率的优异特性，广泛应用于无线通信基站、电力电子器件等信息收发、能量转换等领域。由于AlGaN/GaN异质结构击穿电压大，因极化可产生高浓度二维电子气(2DEG)，并具有很高的电子迁移率，因此在微波功率器件应用方面引起了广泛关注。如有时...
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