技术编号：8414151
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体功率器件的设计，更具体地说是涉及一种半导体功率栅控晶体管与快恢复二极管(简称FRD)集成在同一芯片上的设计。背景技术1980年，美国RCA公司申请了第一个IGBT专利，1985年日本东芝公司做出了第一个工业用IGBT。从器件的物理结构上来说，它是非透明集电极穿通型IGBT，简称为穿通型IGBT (Punchthrough IGBT 一缩写为 PT-1GBT)。早期的PT-1GBT的关断时间相对很长，约有数微秒，为了减短关断时间，提高开关...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。