技术编号:8414193
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及红外探测器技术,尤其涉及。背景技术量子阱红外探测器是利用半导体多量子阱或者超晶格材料的子带间跃迀制成的探测器,具有稳定性好、响应速度快、抗辐射和易制作大面积焦平面阵列等优点。传统的量子阱红外探测器及其大规模阵列已经在第一代半导体(S1、Ge)以及第二代半导体(III族砷化物半导体)中实现,在精确制导和红外成像等军用、民用领域具有极广泛的应用。但是由于其材料禁带宽度覆盖范围的限制,现有的量子阱红外探测器只能满足波长大于2.3 μπι红外波段的探测,...
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