技术编号：8414552
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在半导体领域，一般通过高温退火的方式将非晶硅转换为多晶硅。这里一般采用激光照射的方式将非晶硅快速上升至一个设定温度。但是如直接采用峰值功率较大的激光脉冲装置对非晶硅进行照射，可能导致氢爆现象的产生，从而可能造成生成的多晶硅薄膜脱落，影响产品的良率。如采用峰值功率较低的激光脉冲装置对非晶硅进行照射，则非晶硅表面无法在短时间内达到设定温度，并需要进行多次激光脉冲照射才能完成整个转换操作。故，有必要提供一种激光脉冲调制装置，以解决现有技术所存在的问题。发明内容本...
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