技术编号：8414564
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在半导体激光器中，光场的分布和吸收损耗是影响到激光器阈值和输出功率的关键因素。在传统的氮化镓激光器结构中，有源区上下两侧分别具有η型和P型波导和限制层，η型和P型AlGaN限制层将大部分光场限制在波导内。但是仍然会有少部分光场扩展至AlGaN限制层内，甚至会扩展至激光器两侧的金属电极区域。GaN和AlGaN材料对波长大于带间跃迀发光波长的光存在着由自由载流子吸收和杂质吸收引起的较强吸收，这是激光器内损耗的主要来源。在405nm波长附近，掺Mg的P型GaN、...
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