技术编号:8417683
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。现有的光电二极管阵列例如记载在专利文献I中。在SiPM(Silicon PhotoMultiplier娃光电倍增器)或PPD(Pixelated Photon Detector像素化光电检测器)等光电二极管阵列中,具有将APD (雪崩光电二极管)配置成矩阵状,并联连接多个APD并读出AH)输出之和的结构。若使APD以盖革模式动作,则能够检测出微弱的光(光子)。艮P,在光子入射至APD的情况下,在APD内部所产生的载流子经由降压电阻(quenchingres...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。