技术编号:8417769
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 专利文献1中记载了一种具有利用p型包覆层和n型包覆层夹住有源层的结构的 半导体发光元件。具体而言,包括衬底;设置在衬底上方的第一导电型第一包覆层;设置 在第一包覆层上方的量子阱有源层;以及设置在量子阱有源层上方的第二导电型第二包覆 层。 专利文献1 日本公开专利公报特开2002-270971号公报发明内容 _发明所要解决的技术问题- 在这样的现有半导体发光元件中,存在难以使抑制衬底与第一包覆层之间的晶格 失配和衬底的垂直方向上的陷光两立的问题。 即,在上...
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