技术编号：8426247
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。现有技术中，请参阅图1所示，图1本发明的PVD (Physical Vapor Deposit1n,物理气相沉积)工艺的流程图，铜互连PVD工艺主要包括四个工艺过程去气、预清洗、Ta(N)沉积、Cu沉积。在PVD去气加热腔(Degas)内，主要工艺是将基片加热至一定温度，以去除基片上吸附的水蒸气及其它易挥发杂质。生产过程中对去气工艺加热的均匀性要求很高，如果加热不均匀，可能会导致部分易挥发杂质去除不干净，影响后续工艺，严重的局部温度不均匀甚至可能会造成碎片...
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