技术编号:8426250
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。透明导电薄膜电极,是有机电致发光器件(OLED)的基础构件,其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中,氧化铟的掺杂半导体是近年来研究最广泛的透明导电薄膜材料,具有较高的可见光透光率和低的电阻率。但要提高器件的发光效率,要求透明导电薄膜阴极具有较低的表面功函数。而锡、钛和锆掺杂的氧化铟,功函数一般是4.3eV,处理之后可达到4.0?4.3eV,与一般的有机发光层的LUMO能级(典型的为2.8?4.2eV)还有比较大的能级差距,造成载流子注入势垒的增加,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。