技术编号:8429571
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及半导体集成电路设计领域,特别是指一种。背景技术 模拟电路设计不仅要求电阻精度高,更需要有精确的电阻参数来正确描述电阻性 能。目前阱电阻的评价均采用常规电阻的评价方法,即两端电阻法,对于埋层的影响有所忽 略,其电阻参数抽取表征公式为R(V) =R0*(l+VCl*(nln2)+VC2*(nln2)2) 但是在实际电路应用中,经常需要在埋层加高电位,且埋层加载的不同电位,对阱 电阻阻值的影响甚大。埋层电位对于常规阱电阻的电压参数的提取尤为重要,精准...
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