技术编号：8431823
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。可靠性是产品在规定条件下和规定时间内完成规定功能的能力。对于闪存(FlashMemory)，简称FLASH，一般而言，数据保持能力、耐久力、抗干扰能力等是评价闪存可靠性的重要参数，其中，数据保持力指的是闪存存储的数据经过一段时间之后没有失真或丢失，仍可以有效读出的能力。对于FLASH，随着时间的推移，FLASH中存储单元的阈值电压会发生变化。图1示出的现有技术中NOR型FLASH中存储单元的阈值电压变化示意图；参考图1，对于FLASH中存储单元而言，浮栅中...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术无源代码，用于学习原理，如您想要源代码请勿下载。