技术编号:8432065
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。溅射是现代半导体芯片生产过程中常用的一种薄膜淀积技术,其工作原理是利用带电粒子轰击靶材,使靶材原子从表面逸出并沉积在衬底上。图1是现有一种利用靶材在晶圆上沉积薄膜的示意图,如图1所示,由于带电粒子轰击靶材的方向是不确定的,导致从靶材I表面逸出的靶材原子会从各个方向脱离靶材表面,之后沿直线到达晶圆2表面,进而使得晶圆2上薄膜的均匀性较差。为了提高薄膜的沉积均匀性,在溅射过程中通常会在靶材I和晶圆2之间设置一个聚焦环3,聚焦环3可以约束靶材原子的运动轨迹,即使...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。