技术编号：8432068
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。用于集成电路的制造的半导体处理工艺包括化学气相沉积工艺、和等离子体刻蚀工艺等，典型的如硅或绝缘材料氧化硅的刻蚀需要用到等离子刻蚀设备。如图1所示的等离子刻蚀设备，等离子刻蚀设备包括一个反应腔100，反应腔底部包括基座22，基座上连接有射频电源。基座上设置有静电夹盘21用于固定静电夹盘上方放置的待处理基片20。静电夹盘外围还包括一个均一性调节环，通过对调节环材料、形状甚至厚度的设计可以改善基片20边缘区域相对中性区域的处理均匀性。反应腔内与基片相对的顶部包括...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。