技术编号:8432100
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。LDMOS (LDMOSLaterally Diffused Metal Oxide Semiconductor 横向扩散金属氧化物半导体)器件具有增益高、耐压高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好,易于和CMOS工艺集成等优点,并且其价格远低于砷化镓器件,是一种非常具有竞争力的功率器件,当前对于高阈值电压Vt的耗尽管,为了 Vt的稳定性和沟道寄生JFET效应,沟道区使用两步注入的方法来调节耗尽管的阈值电压Vt,第一步进行P型杂质的注入,如图1...
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