技术编号:8432110
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一般来讲,半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储器,易失性存储器易于在断电时丢失其数据,而非易失性存储器即使在供电中断后仍能保持片内信息。非易失存储器包括电可编程只读存储器(EPR0M)、电可擦除编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器(Flash memory)。与其他的非易失性存储器相比,闪存具有存储数据的非易失性、低功耗、集成度高、较快的存取速度、易于擦除和重写以及低成本等特性。因此,被广泛的应用于各个领域。如嵌入式系统、PC及外设、电信交换机...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。