技术编号：8432124
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。近年来，随着MEMS器件和系统被越来越广泛地应用于汽车和消费电子领域，以及TSV (Through Silicon Etch，通孔刻蚀)在未来封装领域的广阔前景，深硅刻蚀工艺逐渐成为MEMS加工领域及TSV技术中最炙手可热的工艺之一。而且，针对不同的应用，对深硅刻蚀工艺所获得的基片形貌的要求也不同，例如，在封装领域中，通常要求获得的沟槽具有倾斜的侧壁，以满足后续的其他工艺需求，同时为了保证器件的性能和稳定，要求沟槽的顶部开口倾斜呈V字型、侧壁中部和底部陡直...
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