技术编号:8432142
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着集成电路制造技术的快速发展,促使集成电路中的半导体器件,尤其是MOS(Metal Oxide Semiconductor,金属-氧化物-半导体)器件的尺寸不断地缩小,以此满足集成电路发展的小型化和集成化的要求。在MOS晶体管器件的尺寸持续缩小的过程中,现有工艺以氧化硅或氮氧化硅作为栅介质层的工艺受到了挑战。以氧化硅或氮氧化硅作为栅介质层所形成的晶体管出现了一些问题,包括漏电流增加以及杂质的扩散,从而影响晶体管的阈值电压,进而影响半导体器件的性能。为解决...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。