技术编号：8432151
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在现有技术中，鳍式场效晶体管(Fin Field Effect Transistor, FinFET)与传统的平面结构晶体管相比，不仅具有较好的栅控能力，还能够较好的抑制短沟道效应，这种结构使得半导体器件的尺寸得以进一步减小。现有FinFET器件在制造时的具体步骤为，先形成鳍部(Fin)，再在所述鳍部上形成横跨所述鳍部的栅极，在这之后，在形成的鳍部以及栅极上覆盖一层侧墙材料，并去除部分所述侧墙材料，仅保留栅极侧壁的侧墙材料，以形成栅极的侧墙。但是，在实际的...
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